Sahte ve Arızalı Ürünleri Önleme
Görsel ve Paketleme Denetimi
Elektrik performans doğrulaması
Hizmet E-postası:
[email protected]
>
IMZA120R007M1HXKSA1
Infineon Technologies
SIC DISCRETE
89110 Adet Yeni Orijinal Stokta
N-Channel 1200 V 225A (Tc) 750W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8
Teklif İste
(Yarın gönderilecek)
*Miktar
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (105 Değerlendirmeler)
IMZA120R007M1HXKSA1
Ürün Bilgisi
12999225
DiGi Electronics Parça Numarası
IMZA120R007M1HXKSA1-DGÜretici
Infineon Technologies
IMZA120R007M1HXKSA1
Açıklama
SIC DISCRETEEnvanter
89110 Adet Yeni Orijinal Stokta
N-Channel 1200 V 225A (Tc) 750W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8
Miktar
Minimum 1
Minimum 1
Satın alma ve sorgulama
Garanti ve İadeler
Nasıl Sipariş Verilir
Gönderim & Teslimat
Kalite Güvencesi
365 Gün Kalite Garantisi - Her parça tamamen destekleniyor.
90 Günlük Para İadesi veya Değişim - Arızalı Parçalar mı? Sorunsuz.
Sınırlı Stok, Hemen Sipariş Ver - Endişe olmadan güvenilir parçalar edinin.
Küresel Sevkiyat & Güvenli Paketleme
Dünya Çapında Teslimat 3-5 İş Günü İçinde
100% ESD Anti-Static Packaging
Her Sipariş için Gerçek Zamanlı Takip
Güvenli ve Esnek Ödeme
Kredi Kartı, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Teleks Transferi (T/T) ve daha fazlası
Tüm ödemeler güvenlik için şifrelenmiştir
IMZA120R007M1HXKSA1 Teknik Özellikler
Kategori
Transistörler, FET'ler, MOSFET'ler, Tek FET'ler, MOSFET'ler
Paketleme
Tube
Silsile
CoolSiC™
Ürün durumu
Active
FET Tipi
N-Channel
Teknoloji
SiCFET (Silicon Carbide)
Kaynak Voltajına Boşaltma (Vdss)
1200 V
Akım - Sürekli Drenaj (Id) @ 25°C
225A (Tc)
Sürücü voltajı (maks rds açık, min rds açık)
15V, 18V
Rds Açık (Maks) @ Kimlik, Vgs
9.9mOhm @ 108A, 18V
Vgs(th) (maks) @ Kimlik
5.2V @ 47mA
Kapı Şarjı (Qg) (Maks) @ Vgs
220 nC @ 18 V
Vgs (Maks.)
+20V, -5V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Maks) @ Vds
9170 nF @ 25 V
FET Özelliği
-
Güç Dağılımı (Maks.)
750W (Tc)
Çalışma sıcaklığı
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj Tipi
Through Hole
Tedarikçi Cihaz Paketi
PG-TO247-4-8
Paket / Kutu
TO-247-4
Veri Sayfası ve Belgeler
Veri Sayfaları
İndir IMZA120R007M1HXKSA1 Ürün Özellikleri (PDF)
Veri Sayfaları
IMZA120R007M1H
HTML Veri Sayfası
IMZA120R007M1HXKSA1-DG
Çevresel ve İhracat Sınıflandırması
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Durumu
REACH Unaffected
ECCN (Avrupa Merkez Bankası)
EAR99
HTŞ
8541.29.0095
Ek Bilgi
Standart Paket
30
Diğer İsimler
SP005425973
448-IMZA120R007M1HXKSA1
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dekabr 02, 2025
Des prix très intéressants et un emballage écologique, c’est ce qui me fait continuer à faire mes achats chez DiGi Electronics.
dekabr 02, 2025
DiGi Electronics se distingue par ses prix abordables et un service après-vente de grande qualité.
dekabr 02, 2025
Bei DiGi Electronics stimmt die Qualität, und die Versandzeiten sind stets eingehalten worden.
dekabr 02, 2025
Post-purchase support was attentive and resolved my concerns swiftly, excellent service.
dekabr 02, 2025
Working with DiGi Electronics has always been a positive experience.
dekabr 02, 2025
Affordable prices and dedicated after-sales assistance make them a preferred provider.
dekabr 02, 2025
Every delivery arrives in perfect condition, thanks to their excellent packaging.
dekabr 02, 2025
Absolutely impressed with their professional customer service; they always go above and beyond to assist.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Sıkça Sorulan Sorular (SSS)
Infineon CoolSiC™ N-Kanal MOSFET (IMZA120R007M1HXKSA1)'nin temel özellikleri ve teknik özellikleri nelerdir?
Bu SiC MOSFET, 1200V voltaj değeri, 25°C'de sürekli 225A akım ve maksimum 750W güç dissipation özelliklerine sahiptir. Yüksek verimli anahtarlama için tasarlanmış olup, optimize edilmiş Rds On (108A, 18V'de maksimum 9.9mOhm) ile öne çıkar.
Infineon SIC Ayrık MOSFET, yüksek sıcaklık uygulamalarıyla uyumlu mu?
Evet, bu MOSFET -55°C ile 175°C arasında çalışabilir, bu nedenle güç elektroniği ve endüstriyel uygulamalarda yüksek sıcaklık ortamlarına uygundur.
SiCFET teknolojisi bu MOSFET'e geleneksel silikon cihazlara kıyasla ne gibi faydalar sağlar?
Silicon Carbide (SiC) teknolojisi, daha düşük anahtarlama kayıpları, daha yüksek verimlilik ve daha iyi termal performans sunar, böylece enerji tüketimini azaltır ve cihaz güvenilirliğini artırır.
Bu MOSFET için hangi destek ve paket seçenekleri mevcuttur ve delikli montaj için uygun mu?
MOSFET, güç devreleri için dayanıklı mekanik destek ve iyi termal yönetim sağlayan PG-TO247-4 pakette gelir ve delikli montaj için uygundur.
Bu MOSFET'i orijinal üreticiden almak, garanti ve destek açısından ne gibi avantajlar sağlar?
Direkt olarak Infineon Technologies'ten alınması, orijinal ve yüksek kaliteli ürünler ile güvenilir teknik destek sağlar, böylece en iyi performans ve RoHS ile REACH gibi uluslararası standartlara uyumluluk garantilenir.
Kalite Güvencesi (QC)
DiGi, her elektronik bileşenin kalitesini ve orijinalliğini profesyonel denetimler ve parti örnekleme ile garanti altına alır, güvenilir tedarik, istikrarlı performans ve teknik özelliklere uyum sağlar. Bu sayede müşterilerin tedarik zinciri risklerini azaltmasına ve bileşenleri üretimlerinde güvenle kullanmasına yardımcı olur.
IMZA120R007M1HXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IMZA120R007M1HXKSA1 PCB symbols & footprints
productDetail
